Ласкаво просимо до Ruijie Laser

Ми не знаємо про лазерні технології

Ми не знаємо про лазерну технологію, 1960 рік був лише першим успішним лазерним виробництвом.У випадку з лазером теоретична підготовка та виробнича практика терміново виникли передумови, як виявилося, щоб отримати швидкий розвиток незвичайного, а не тільки розвиток лазера, щоб стародавня наука оптики та оптичних технологій отримала нове життя, але також призведе до появи цілої нової індустрії.Лазерна машина для лазерного різання дозволяє людям ефективно використовувати безпрецедентні передові методи та засоби, щоб отримати безпрецедентні переваги та результати, щоб сприяти розвитку продуктивних сил.

Однак, як і лазерне лазерне різання, лазерне зварювання, лазерна різальна машина була широко поширена в житті серед виробництва, але також лазерний кристал, лазерний терагерц такі знання, ми рідко зв’язувалися з автором цієї статті, щоб усі подивилися на ті, які ми не знайомі з лазерною технікою.

Енергія лазерного кристала машини для лазерного різання може подаватись зовнішнім оптичним резонатором у просторову та часову когерентність у кристалічних матеріалах, які є високопаралельним та монохроматичним лазерним світлом.Робочий матеріал - кристалічний лазер.Лазерний кристал за центрами люмінесценції та матричні кристали складаються з двох частин.Більшість світловипромінювального центру шляхом активації іонної лазерної кристалічної структури, активні іони частково заміщені катіонними матричними кристалами, легованими лазерними кристалами.Коли ви активуєте іон, який стає частиною компонентів основного кристала, він утворює самоактивуючийся лазерний кристал.

Лазерна машина для різання лазерного кристала використовується в основному для активних іонів перехідних металів і тривалентних рідкоземельних іонів.Оптичні електронні іони перехідних металів знаходяться у зовнішньому шарі 3d-електронів у кристалах, таких як оптична електроніка, вразлива до прямого впливу кристалічного поля навколо, тому різні типи кристалічної структури, її спектральні характеристики дуже різні.Тривалентні рідкісноземельні іони 4 f електронів екранують зовнішні електрони 5 s і 5 p, так що кристалічне поле послаблює свою роль, але роль причин збурення кристалічного поля була заборонена. 4 f електронні переходи стають можливими для створення вузького поглинання і лінія флуоресценції.Отже, тривалентні рідкоземельні іони в спектрах різних кристалічних іонів перехідних металів дуже змінюються.